Control over the performance of monocrystalline silicon solar cells referring to the porous silicon layer

Abstract

The paper examines the parameters of crystalline silicon solar cells such as fill factor, maximal output power and series resistance forming a porous silicon layer. The obtained results show that introducing the layer into the structure of a solar cell results in a 19 percent enhancement of maximal output power and conversion efficiency.

Article in Lithuanian.

Monokristalinio silicio saulės elementų charakteristikų valdymas akytojo silicio sluoksniu

Santrauka. Šiame darbe tiriamas akytojo silicio darinių poveikis saulės elementų elektrinėms charakteristikoms: nuosekliajai varžai, voltamperinių charakteristikų formai. Parodyta, kad pagaminus silicio saulės elemente akytojo silicio sluoksnį, galima veikti (valdyti) saulės elementų voltamperines charakteristikas ir elemento nuosekliąją elektrinę varžą. Nustatyta, kad tiriamajame bandinyje suformavus akytojo silicio sluoksnį, apkrovos voltamperinės charakteristikos užpildos rodiklis padidėjo 1,15 karto, o maksimali elemento kuriama ir apkrovos metu atiduodama elektros energijos galia – 1,19 karto. Tiek pat 1,19 karto padidėjo saulės elemento šviesos konversijos į elektros energiją efektyvumas.

Raktiniai žodžiai: silicio saulės elementai, akytasis silicis, voltamperinė charakteristika.

Keywords:

silicon solar cell, porous silicon layer, voltamperic characteristic

How to Cite

Mitkevičius, R., Zagadskij, V., & Šatkovskis, E. (2012). Control over the performance of monocrystalline silicon solar cells referring to the porous silicon layer. Mokslas – Lietuvos Ateitis Science – Future of Lithuania, 3(6), 91-94. https://doi.org/10.3846/mla.2011.120

Share

Published in Issue
January 3, 2012
Abstract Views
556

View article in other formats

CrossMark check

CrossMark logo

Published

2012-01-03

How to Cite

Mitkevičius, R., Zagadskij, V., & Šatkovskis, E. (2012). Control over the performance of monocrystalline silicon solar cells referring to the porous silicon layer. Mokslas – Lietuvos Ateitis Science – Future of Lithuania, 3(6), 91-94. https://doi.org/10.3846/mla.2011.120

Share