Investigation of impact of the gate circuitry on IGBT transistor dynamic parameters
DOI: https://doi.org/10.3846/mla.2010.013Abstract
The impact of Insulated Gate Bipolar Transistor driver circuit parameters on the rise and fall time of the collector current and voltage collector-emitter was investigated. The influence of transistor driver circuit parameters on heating of Insulated Gate Bipolar Transistors was investigated as well.
Article in Lithuanian.
Valdymo grandinių įtakos IGBT tranzistoriaus dinaminiams parametrams tyrimas
Santrauka. Ištirta dvipolių tranzistorių su izoliuota užtūra (IGBT angl. Insulated Gate Bipolar Transistor) valdymo grandinių parametrų įtaka tranzistorių kolektoriaus srovės ir kolektoriaus-emiterio įtampos frontų trukmei, tranzistoriui atsidarant ir užsidarant. Ištirta grandinių parametrų įtaka IGBT tranzistorių modulio, naudojamo inverteryje, šilimui.
Reikšminiai žodžiai: IGBT tranzistorius, dinaminiai parametrai, inverteris, dažnio keitiklis, asinchroninis variklis.
Keywords:
IGBT transistor, dynamic parameters, inverter, frequency converter, AC induction motorHow to Cite
Share
License
Copyright (c) 2010 The Author(s). Published by Vilnius Gediminas Technical University.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
View article in other formats
CrossMark check
Published
Issue
Section
Copyright
Copyright (c) 2010 The Author(s). Published by Vilnius Gediminas Technical University.
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.